Группа ученых из Корейского института науки и технологий (Южная Корея) опубликовала статью в журнале Applied Physics Letters, в которой сообщается о создании первой в мире действующей прозрачной микросхемы памяти. Свою разработку исследователи назвали «прозрачной резистивной памятью с произвольной выборкой» (transparent resistive random access memory, TRRAM).
По характеристикам микросхема напоминает широко используемую сейчас энергонезависимую память типа КМОП. Технологически же новые чипы во многом повторяют недавно разработанные образцы резистивной памяти с произвольной выборкой (resistive random access memory, RRAM). При изготовлении RRAM используются отличающиеся высокой прозрачностью металлооксидные материалы, и корейским ученым оставалось лишь отыскать подходящие прозрачные электроды и подложку и создать на этой основе микросхему. Коэффициент пропускания излучения в видимом диапазоне у готового изделия оказался равен 0,81. «Мы открыли новый этап в развитии светопроницаемой электроники, — уверенно заявляет Джун Вон Сео (Jung Won Seo), ведущий автор работы. — Объединив TRRAM с другими прозрачными компонентами, можно создать завершенное — и просматриваемое насквозь — электронное устройство». По словам ученых, наладить производство микросхем TRRAM сравнительно просто, и до коммерческой реализации новой технологии осталось всего три-четыре года. Цена на такие устройства также не должна быть слишком высокой, поскольку в качестве подложки и электродов можно использовать практически любые прозрачные материалы.
Источник: http://www.compulenta.ru/ |
|
Категории новостей
