Альянс производителей полупроводников во главе с американской корпорацией IBM представил один из первых в индустрии чипов, выполненный по 32-нм технологий, демонстрирующий значительные преимущества в плане производительности и потребляемой мощности по сравнению с современными стандартами.
Чип был изготовлен на заводе IBM в городе Ист Фишкилл, штат Нью-Йорк, на подложке диаметром 300 мм. Создание микрочипа стало возможным благодаря применению нового материала под названием "high-k/metal gate" (HKMG). В результате эксперимента было установлено, что новый чип работает до 35% быстрее по сравнению с современными полупроводниками на базе 45-нм технологии, функционирующими на таком же напряжении. При этом, в зависимости от величины напряжения, энергопотребление 32-нм чипа может быть на 30-50% меньше по сравнению с современными микросхемами. Более того, было установлено, что данный чип работает до 40% быстрее по сравнению с таким же чипом на основе материала Poly/SiON. Вместе с IBM в разработке приняли участие Chartered, Freescale, Infineon Technologies, Samsung, STMicroelectronics и Toshiba, входящие в альянс. Поставку прототипов первых 32-нм микросхем планируется начать в III квартале 2008 г. Начало массового производства таких чипов ожидается в 2009 г. Ряд тестов, проведенных в исследовательской лаборатории в Албани, штат Нью-Йорк, показал, что в конечном счете использование материала HKMG позволит создавать транзисторы с размером 22 нм. Корпорация Intel также ведет разработку 32-нм процесса и уже показала первые чипы. Ожидается, что к массовому производству подобных чипов Intel будет готова в 2010 г. В альянс чипмейкеров во главе с IBM корпорация Intel не вошла. В свое время представители Intel заявили, что они могут полностью освоить 32-нм техпроцесс без чьей-либо помощи.
Источник: http://www.cnews.ru/ |
|
Категории новостей
